AD1100-9-TO52-S1

Описание: Фотодиоды Si APD Enhanced for 905nm 1130um Area

Документация: datasheet

RoHS:

Продукт	Avalanche Photodiodes
Обратное напряжение	180 V
Пиковая длина волны	905 nm
Время нарастания	1.3 ns
Угол половинной интенсивности	92 deg
Корпус	TO-52
Темновой ток	4 nA
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Вид монтажа	Through Hole
Эквивалентная мощность шума (NEP)	8E-14 W/sqrt Hz
Упаковка	Bulk
Фототок	1 uA
Чувствительность	60 A/W
Размер фабричной упаковки	20
Максимальный темновой ток	10 nA
Рассеяние мощности	100 mW