QSE114

Описание: Фототранзисторы 1mA PHOTO TRANS

Документация: datasheet

RoHS:

Максимальное рассеяние мощности	100 mW
Корпус	Side Looker
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Время спада	8 us
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Упаковка	Bulk
Время нарастания	8 us
Размер фабричной упаковки	500
Максимальный темновой ток	100 nA
Тип	Photo Transistor