SD2440-002

Производитель: Honeywell

Описание: Фототранзисторы Silicon Phototransis

Документация: datasheet

RoHS:

Максимальное рассеяние мощности	125 mW
Корпус	Metal Can
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Время спада	15 us
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Продукт	Phototransistors
Время нарастания	15 us
Длина волны	880 nm
Тип	Photodetector Transistors