SDP8407-001

Производитель: Honeywell

Описание: Фототранзисторы Silicon Phototransis

Документация: datasheet

RoHS:

Максимальное рассеяние мощности	100 mW
Корпус	End Looking
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Время спада	15 us
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Продукт	Phototransistors
Время нарастания	15 us
Тип	Photodetector Transistors