OP501

Производитель: Optek

Описание: Фототранзисторы PHOTOSENSOR

Документация: datasheet

Максимальное рассеяние мощности	75 mW
Корпус	SMD
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Время спада	15 us
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Минимальная рабочая температура	- 25 C
Упаковка	Reel
Продукт	Phototransistors
Время нарастания	15 us
Размер фабричной упаковки	3000
Максимальный темновой ток	100 nA
Тип	Silicon Phototransistor in SMD Package