QSB320FTR

Описание: Фототранзисторы Silicon Infrared Phototransistor

Документация: datasheet

RoHS:

Максимальное рассеяние мощности	165 mW
Корпус	PLCC-2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Время спада	8 us
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Упаковка	Reel
Время нарастания	8 us
Размер фабричной упаковки	2000
Максимальный темновой ток	200 nA
Тип	Phototransistor