Витал Электроникс

поставки электронных компонентов широкой номенклатуры,
системы RFID, IT услуги

Санкт-Петербург

+7(812) 325-97-92

Искать в текстах Искать по складам
компоненты на складе Отправить запрос
Каталог / Интегральные схемы / ИС для управления питанием / Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности / IXTX600N04T2

IXTX600N04T2

 заказать
запросить условия поставки

Категория: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности

Производитель: Ixys

Описание: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Документация: datasheet

RoHS:

Параметры IXTX600N04T2:

ПродуктMOSFET Gate Drivers
ТипTrenchT2 GigaMOS
Время нарастания20 ns
Время спада250 ns
Ток питания200 A
Максимальное рассеяние мощности1250 W
Вид монтажаThrough Hole
КорпусPLUS-247
УпаковкаTube
Максимальное время задержки выключения90 ns
Максимальное время задержки включения40 ns
Выходной ток600 A
Выходное напряжение40 V
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество драйверовSingle
Количество выходов1
Коммерческое обозначениеTrenchT2 GigaMOS