TC4468EOE

Описание: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности 1.2A Quad NAND I/P

Документация: datasheet

RoHS:

Продукт	MOSFET Gate Drivers
Тип	Low Side
Время нарастания	25 ns
Время спада	25 ns
Напряжение питания - макс.	18 V
Напряжение питания - мин.	4.5 V
Ток питания	4 mA
Максимальное рассеяние мощности	760 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Корпус	SOIC-16
Упаковка	Tube
Рабочее напряжение питания	4.5 V to 18 V
Максимальная рабочая температура	+ 85 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Количество драйверов	4
Размер фабричной упаковки	47
Конфигурация	Non-Inverting
Количество выходов	4