Витал Электроникс

поставки электронных компонентов широкой номенклатуры,
системы RFID, IT услуги

Санкт-Петербург

+7(812) 325-97-92

Искать в текстах Искать по складам
компоненты на складе Отправить запрос
Каталог / Интегральные схемы / ИС для управления питанием / Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности / IXTK550N055T2

IXTK550N055T2

 заказать
запросить условия поставки

Категория: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности

Производитель: Ixys

Описание: Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Документация: datasheet

RoHS:

Параметры IXTK550N055T2:

ПродуктMOSFET Gate Drivers
ТипTrenchT2 GigaMOS
Время нарастания40 ns
Время спада230 ns
Ток питания200 A
Максимальное рассеяние мощности1250 W
Вид монтажаThrough Hole
КорпусTO-264
УпаковкаTube
Максимальное время задержки выключения90 ns
Максимальное время задержки включения45 ns
Выходной ток550 A
Выходное напряжение55 V
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество драйверовSingle
Количество выходов1
Коммерческое обозначениеTrenchT2 GigaMOS