H11D3SR2M

Описание: Транзисторные выходные оптопары Phototransistor

Документация: datasheet

RoHS:

Тип входа	DC
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	200 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение изоляции	5300 Vrms
Максимальное прямое напряжение диода	1.5 V
Максимальный коллекторный ток	100 mA
Максимальное рассеяние мощности	300 mW
Максимальная рабочая температура	+ 100 C
Минимальная рабочая температура	- 40 C
Корпус	PDIP-6 Gull Wing
Упаковка	Reel
Максимальный входной ток диода	80 mA
Максимальное обратное напряжение диода	6 V
Количество каналов на чип	1
Устройство вывода	Phototransistor
Тип выхода	DC
Размер фабричной упаковки	1000